[20p-E311-1~17] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20p-E311-16] The effect of annealing temperature for ODMR signals of silicon vacancy in SiC crystal

〇(M2)Yoji Chiba^1,2, Yuichi Yamazaki², Takahiro Makino², Shin-ichiro Sato², Naoto Yamada², Takahiro Satoh², Yasuto Hijikata¹, Takeshi Ohshima² (1.Saitama Univ., 2.QST)

Keywords:silicon carbide, silicon vacancy, optically detected magnetic resonance

炭化ケイ素(V_Si)半導体中のシリコン空孔(V_Si)は室温において局所的な磁場や温度を検出する量子センサへの応用が期待されている。本研究では、量子センシング上の基本操作となる光検出磁気共鳴(ODMR)測定の感度を高めるために、V_Si形成後に行う熱処理の温度がV_Siの発光及びODMR信号にもたらす影響を調べた。