講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-E311-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2019年9月20日(金) 13:30 〜 18:15 E311 (E311)

矢野裕司(筑波大)、田中保宣(産総研)

15:30 〜 15:45

△ [20p-E311-8] 高温動作集積回路用 SiC サイドゲートJFETの短チャネル効果に関する実験的研究

〇中島誠志¹、金祺民¹、金子光顕¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：JFET、イオン注入、短チャネル効果