[20p-E311-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20p-E311-9] 高温アニールおよび熱酸化処理を施した高純度半絶縁性4H-SiC基板の電気的性質の評価

〇具 燦淳¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：半絶縁性SiC、真性点欠陥、抵抗率