[20p-E312-1~14] 6.2 カーボン系薄膜

△ [20p-E312-10] 熱フィラメントCVD法による(111)面上へのリンドープn型ダイヤモンド膜の成長

〇片宗 優貴¹、森 大地¹、有川 大輔¹、和泉 亮¹、嶋岡 毅紘²、市川 公善²、小泉 聡² (1.九州工大、2.物材機構)

キーワード：n型ダイヤモンド、リンドーピング、熱フィラメントCVD

熱フィラメントCVD法によりダイヤモンド(111)面上へのリンドープダイヤモンド膜の結晶成長を行い，Hall効果測定によりn型半導体特性を評価したので報告する．