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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[20p-E312-1~14] 6.2 カーボン系薄膜

2019年9月20日(金) 13:30 〜 17:30 E312 (E312)

山田貴壽(産総研)、吉武剛(九大)

17:00 〜 17:15

[20p-E312-13] 室温¹¹B⁺イオン注入及び1150°C, 1300°Cアニール処理によるIIa型ダイヤモンド基板への高効率p型Bドーピング

〇関裕平¹、星野靖¹、中田穣治¹ (1.神奈川大院理)

キーワード：イオン注入、P型ダイヤモンド、Hall効果