[20p-E312-1~14] 6.2 Carbon-based thin films

△ [20p-E312-5] Localized electrical properties from defects in
crystal grain and grain boundary of polycrystalline diamond surface

〇Daichi Yoshii¹, Mami N. Fujii¹, Yuma Karaki¹, Yasuaki Ishikawa¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST)

Keywords:diamond, semiconductor, AFM

本研究はAFMを活用して, 多結晶ダイヤ基板の粒内及び粒界に焦点を当てた電気的な表面欠陥状態の把握を目指した. 多結晶ダイヤ基板をダイヤCVD装置で成長させ, それを水素終端しAFMの一つであるC-AFMを使い測定を行った.C-AFM測定後に得られる電流像を基に粒内で電流が流れることが確認された箇所でI-V測定を複数箇所各5回行った. 結果, 数か所でI-V特性が変化していく挙動が確認された.