[20p-E314-1~14] 16.3 シリコン系太陽電池

[20p-E314-1] DLTS法によるRPD誘起欠陥の欠陥特性評価

〇(M2)原 知彦¹、脇田 陸¹、磯貝 勇樹¹、神岡 武文^1,2、大下 祥雄¹ (1.豊田工大、2.明治大)

キーワード：プラズマダメージ、過渡応答分光法、インジウム酸化物

応性プラズマ堆積（RPD）法による成膜を経た酸化膜付きSi基板についてDLTS法を使用し、信号のキャリア注入パルス幅依存性について調べ、捕獲の時定数の違いから、欠陥特性を評価した。キャリアパルス幅を10msから3μsに減少させると、電子トラップに対応した信号ピークは260Kから250K付近へとシフトした。本結果から2種類以上の欠陥がRPDプロセスによって導入されていることを示唆している。