[20p-E314-1~14] 16.3 シリコン系太陽電池

[20p-E314-3] シリコンヘテロ接合型太陽電池のアトムプローブ分析

〇清水 康雄¹、韓 斌¹、海老澤 直樹¹、市橋 由成²、橋口 大樹²、片山 博貴²、松本 光弘²、寺川 朗²、井上 耕治¹、永井 康介¹ (1.東北大金研、2.パナソニック)

キーワード：アトムプローブ、集束イオンビーム、ドーピング

原子レベルの位置分解能で実空間上の元素分布評価が可能である３次元アトムプローブ法をテクスチャ構造の薄膜シリコン太陽電池に適用する実験体系を構築するとともに，異なるホウ素添加条件：(CH₃)₃BおよびB₂H₆による差を検証した．