[20p-E314-1~14] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[20p-E314-7] Applying for ITO deposition on a-Si:H passivating layer
using four targets facing sputtering cathode and its effect

〇Hiroshi Iwata¹ (1.Keihin Ramtech)

Keywords:photovoltaic, transparent conductive oxide, sputtering

マグネトロン放電を用いた四面対向式ターゲットスパッタカソードを開発し、単結晶Si太陽電池におけるa-Si:H膜上へのITO成膜に適用してiVocおよびCarrier lifetimeを通常のロータリーカソードのよるITO成膜と比較して評価した。その結果、iVoc : 730mVおよびCarrier lifetime : 2.0msと双方良好な値であった。特に、Carrier lifetimeでは、ロータリーカソードによるITO成膜と比較して約３倍の値を得た。発表当日は、この原因をa-Si:H／ITO界面でのH拡散を熱力学的に考察した結果を報告する。