[20p-E314-1~14] 16.3 シリコン系太陽電池

[20p-E314-9] BのCatドーピングで形成したp型a-Siを用いたSHJ太陽電池の作製

〇鶴飼 太陽¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：ヘテロ接合太陽電池、Cat-CVD

i-a-Siおよびn-a-Siに対しBのCatドーピングを行った膜を用いてSiヘテロ接合(SHJ)太陽電池の作製し、発電性能を評価した。i-a-SiへのBのCatドーピングの有用性は、セル特性の向上からも確認できた。p型エミッタ層を持たず両側にn-a-Siを有するSHJ太陽電池は発電を確認できなかったが、n-a-SiにBのCatドーピング後はわずかであるが発電を確認した。カウンタードープによりpn接合が形成されたためと考えられる。