[20p-E317-1~9] 9.3 ナノエレクトロニクス

[20p-E317-3] Ptナノギャップメモリ素子の超高温環境下における劣化現象の解明

〇乙津 和希^1,3、菅 洋志¹、塚越 一仁²、内藤 泰久³ (1.千葉工大、2.物材機構、3.産総研)

キーワード：ナノギャップ

ナノスケールの間隙を備えた金属電極（以下，ナノギャップ電極）は, 高温環境下で動作する素子への応用が期待されている．過去の我々の研究では，接着層にTiを用いたPtナノギャップ電極を用いることで873 Kまでの高温動作を確認した. しかし，873 K以上の超高温領域での動作は未確認であった．そこで本研究では、この超高温領域でのメモリ保持特性について評価した.