[20p-E317-1~9] 9.3 Nanoelectronics

[20p-E317-4] Formation method of nanoscale three-terminal structure device using electromigration during metal deposition

〇Takuya Abe^1,3, Hiroshi Suga¹, Kazuhito Tsukagoshi², Yasuhisa Naitoh³ (1.CIT, 2.WPI-MANA NIMS, 3.AIST)

Keywords:nanogan, fine structure, transistor

ナノギャップ電極にゲート構造を設けた構造の作製法として様々な手法が報告されているが、トンネル電流を定常的に検出できるナノギャップ三端子構造の実現は難しい。そこで我々は金属蒸着中にバイアス電圧を印加することによって自己整合的に1 nm程度のナノギャップ構造を形成する方法を応用して、平面上にナノスケールで3端子構造を有する簡単な形成法を提案する。