[20p-E317-1~9] 9.3 Nanoelectronics

[20p-E317-3] Investigation of Deterioration of Pt Nanogap Memory Device and Influence of Electrode Under Extremely High Temperature Environment

〇Kazuki Otsu^1,3, Hiroshi Suga¹, Kazuhito Tsukagoshi², Yasuhisa Naitoh³ (1.CIT, 2.WPI-MANA NIMS, 3.AIST)

Keywords:nanogap

ナノスケールの間隙を備えた金属電極（以下，ナノギャップ電極）は, 高温環境下で動作する素子への応用が期待されている．過去の我々の研究では，接着層にTiを用いたPtナノギャップ電極を用いることで873 Kまでの高温動作を確認した. しかし，873 K以上の超高温領域での動作は未確認であった．そこで本研究では、この超高温領域でのメモリ保持特性について評価した.