2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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[20p-E318-1~13] 【CS.7】 7.2 電子ビーム応用、7.4 量子ビーム界面構造計測、9.5 新機能材料・新物性のコードシェアセッション

2019年9月20日(金) 13:00 〜 16:45 E318 (E318)

高瀬 浩一(日大)、白澤 徹郎(産総研)、鈴木 秀士(名大)、鈴木 裕史(弘前大)

16:30 〜 16:45

[20p-E318-13] 擬一次元化合物 MTe4(M = Nb, Ta) における単結晶育成と磁気輸送特性

千葉 正義1、笹川 崇男1 (1.東工大)

キーワード:3Dディラック、巨大磁気抵抗、量子振動

近年、強いスピン軌道相互作用(SOC)により誘起されるトポロジカルな電子相が注目されている。MTe4(M = Nb, Ta) は、Te で八配位された Nb, Ta が c 軸方向に沿った一次元鎖を形成し、一次元鎖同士がファンデルワールス力により弱く結合した擬一次元化合物である。
本研究では、第一原理計算の結果から 0.3 eV 程度の大きな SOC を持ち、これにより 3D ディラック半金属である可能性を見出した。さらに、フラックス法による大型純良単結晶育成に成功し、輸送特性の評価を行った。
講演では、単結晶育成方法や磁気輸送特性の詳細について報告する。