[20p-PA4-1~17] 3.8 Optical measurement, instrumentation, and sensor

[20p-PA4-16] Experimental validation on the relationship between internal quantum efficiency and nonlinear behavior of silicon photodiodes

〇Minoru Tanabe¹ (1.AIST NMIJ)

Keywords:silicon photodiode, internal quantum efficiency, nonlinear behavior

シリコンフォトダイオード(Si PD)は、広い光パワーや広い波長範囲で応答を示す。理想的なSi PDは、広い光パワーに対しても応答が直線性であるが、ほとんどのSi PDは、ある入射パワーから応答が増加するスーパリニアリティを示す。この非直線性は、Siバルク内やSi PDの表面でのSi PDの内部量子効率の低下が原因である。このSi PDの内部量子効率とスーパーリニアリティの関連性に関する実験的評価と、その考察を実施した。