[20p-PA4-1~17] 3.8 光計測技術・機器

[20p-PA4-16] シリコンフォトダイオードの内部量子効率と応答非直線性の関連性に関する実験的検証

〇田辺 稔¹ (1.産総研　計量標準)

キーワード：シリコンフォトダイオード、内部量子効率、応答非直線性

シリコンフォトダイオード(Si PD)は、広い光パワーや広い波長範囲で応答を示す。理想的なSi PDは、広い光パワーに対しても応答が直線性であるが、ほとんどのSi PDは、ある入射パワーから応答が増加するスーパリニアリティを示す。この非直線性は、Siバルク内やSi PDの表面でのSi PDの内部量子効率の低下が原因である。このSi PDの内部量子効率とスーパーリニアリティの関連性に関する実験的評価と、その考察を実施した。