[20p-PB1-1~13] 6.5 Surface Physics, Vacuum

[20p-PB1-10] Reduction of SiO₂ Layer on Si Substrate by Irradiation of Electron Beam : Time evolution of reduction process.

〇Keisuke Fujimori¹, Yosuke Chida¹, Yusuke Masuda¹, Natsuki Ujiie¹, Yoshiharu Enta¹ (1.Hirosaki Univ.)

Keywords:SiO2, electron beam, reduction

シリコン(Si)基板上シリコン酸化膜(SiO₂)に高電流密度電子線を照射すると還元反応が生じる。また、還元反応は表面だけでなくSiO₂/Si 界面でも強く生じ、照射領域に対応したSiドットが、界面に形成される。本研究は、電子線照射により形成されたSiドットの形状、および電子線照射領域周辺の元素組成の変化について、原子間力顕微鏡 (AFM)および走査型オージェ電子顕微鏡(SAM)を用いて調べた。照射エネルギー依存性や照射時間変化から、SiO₂ 還元過程や反応機構についての詳細な分析を行った。その結果について、報告する。