[20p-PB1-1~13] 6.5 表面物理・真空

[20p-PB1-10] Si基板上SiO₂薄膜の電子線照射による還元反応：還元過程の時間発展

〇藤森 敬典¹、千田 陽介¹、増田 悠右¹、氏家 夏樹¹、遠田 義晴¹ (1.弘前大院理工)

キーワード：SiO2、電子線、還元

シリコン(Si)基板上シリコン酸化膜(SiO₂)に高電流密度電子線を照射すると還元反応が生じる。また、還元反応は表面だけでなくSiO₂/Si 界面でも強く生じ、照射領域に対応したSiドットが、界面に形成される。本研究は、電子線照射により形成されたSiドットの形状、および電子線照射領域周辺の元素組成の変化について、原子間力顕微鏡 (AFM)および走査型オージェ電子顕微鏡(SAM)を用いて調べた。照射エネルギー依存性や照射時間変化から、SiO₂ 還元過程や反応機構についての詳細な分析を行った。その結果について、報告する。