[20p-PB1-1~13] 6.5 表面物理・真空

[20p-PB1-3] 角度分解光電子微細構造法によるC-doped GaNの結晶構造評価

〇熊木 雄貴¹、成塚 重弥²、下村 勝¹ (1.静岡大工、2.名城大理工)

キーワード：角度分解光電子微細構造、窒化ガリウム、光電子回折

GaN 中の C 原子は GaN の高抵抗化に寄与するため、C 原子がドープされた GaN (C-doped GaN) は電界効果トランジスタのバッファ層の材料として期待されているが、その結晶構造やドーピングの詳細については明らかにされていない。本研究では、C-doped GaNの複数の結晶モデルを検討し、角度分解光電子微細構造法(ARPEFS)のシミュレーションを行い、実験結果と比較することによって C-doped GaNの結晶構造の評価を行った。