2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

6 薄膜・表面 » 6.5 表面物理・真空

[20p-PB1-1~13] 6.5 表面物理・真空

2019年9月20日(金) 13:30 〜 15:30 PB1 (第二体育館)

13:30 〜 15:30

[20p-PB1-5] InGaAsP系フォトカソードの量子効率に対する電子親和力の影響

〇(M2)出射 幹也1、村田 文浩1、山下 海人1、七井 靖1、黄 晋二1、渕 真悟1 (1.青学大)

キーワード:半導体、フォトカソード、NEA表面