1:30 PM - 3:30 PM
[20p-PB2-10] Effect of Tungsten Filament contained Lanthanum
on H- Extraction from a Bernas type Ion Source
Keywords:Ion Source, Bernas type
バーナス型イオン源は,半導体用の正イオンを引き出す装置である.この装置のアークチャンバの構造が,ペニング型負イオン源と同等で,体積生成で負イオンの生成・ビームの引き出しが可能であると考えられる.バーナス型負イオン源は,半導体分野での応用が期待されている.
本研究では,負イオンビームを発生させるために,バーナス型イオン源の熱陰極にランタンタングステンを使用し,水素負イオンビーム電流量の変化を調査する.
本研究では,負イオンビームを発生させるために,バーナス型イオン源の熱陰極にランタンタングステンを使用し,水素負イオンビーム電流量の変化を調査する.