The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Poster presentation

7 Beam Technology and Nanofabrication » 7 Beam Technology and Nanofabrication (Poster)

[20p-PB2-1~18] 7 Beam Technology and Nanofabrication (Poster)

Fri. Sep 20, 2019 1:30 PM - 3:30 PM PB2 (PB)

1:30 PM - 3:30 PM

[20p-PB2-10] Effect of Tungsten Filament contained Lanthanum
on H- Extraction from a Bernas type Ion Source

〇(M2)Masumi Kobayashi1, Motoi Wada1 (1.Doshisha Univ.)

Keywords:Ion Source, Bernas type

バーナス型イオン源は,半導体用の正イオンを引き出す装置である.この装置のアークチャンバの構造が,ペニング型負イオン源と同等で,体積生成で負イオンの生成・ビームの引き出しが可能であると考えられる.バーナス型負イオン源は,半導体分野での応用が期待されている.
本研究では,負イオンビームを発生させるために,バーナス型イオン源の熱陰極にランタンタングステンを使用し,水素負イオンビーム電流量の変化を調査する.