[20p-PB2-1~18] 7 ビーム応用（ポスター）

[20p-PB2-10] バーナス型イオン源におけるH^-ビーム引き出し
ランタンタングステンが与える影響

〇(M2)小林 益美¹、和田 元¹ (1.同大理工)

キーワード：イオン源、バーナス型

バーナス型イオン源は，半導体用の正イオンを引き出す装置である．この装置のアークチャンバの構造が，ペニング型負イオン源と同等で，体積生成で負イオンの生成・ビームの引き出しが可能であると考えられる．バーナス型負イオン源は，半導体分野での応用が期待されている．
本研究では，負イオンビームを発生させるために，バーナス型イオン源の熱陰極にランタンタングステンを使用し，水素負イオンビーム電流量の変化を調査する．