[20p-PB2-1~18] 7 ビーム応用（ポスター）

[20p-PB2-4] 電子ビーム照射下における二次元MoS₂の構造変化解析

〇多田 和広¹、仲田 健人¹、安田 雅昭² (1.富山高専、2.阪府大院工)

キーワード：二次元材料、電子線照射、分子動力学

シリコン半導体の微細化の限界が叫ばれる中，次世代デバイスの実現を目的とし，シリコン以外の材料研究が行われている．その中で，厚さが数原子分しかない二次元材料が注目されている．代表的な二次元材料であるグラフェンにはバンドギャップが存在しない一方，二次元MoS₂はバンドギャップを持っているため，次世代の半導体材料として期待されている．二次元MoS₂を加工する手段の1つとして電子ビーム照射が考えられるが，その照射効果には未解明な部分もある．
本研究では，電子ビーム照射効果を組み込んだ分子動力学法を用いて，二次元MoS2への電子ビーム照射効果を明らかにすることを目的とする．