[20p-PB3-1~11] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[20p-PB3-3] Si/CaF₂三重障壁共鳴トンネルダイオードの高ピーク電流密度を有する室温微分負性抵抗特性

〇利根川 啓希¹、熊谷 佳郎¹、三上 萌¹、廣瀬 皓大¹、冨澤 勘太¹、金子 拓海¹、佐藤 穂波¹、渡辺 正裕¹ (1.東工大工学院)

キーワード：共鳴トンネルダイオード、室温微分負性抵抗特性