[21a-B12-1~8] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[21a-B12-2] Positive-bias PID and recovery tests for n-type front-emitter crystalline silicon photovoltaic modules

〇Tomoyasu Suzuki¹, Seira Yamaguchi¹, Kyotaro Nakamura², Atsushi Masuda³, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST, 2.Toyota Tech. Inst., 3.AIST)

Keywords:n-type crystalline Silicon photovoltaic, Potential-Induced Degradation

n型フロントエミッター型(n-FE)結晶シリコンPVモジュールの正バイアス下でのPID挙動を調査した。負バイアス印加で発現する、SiN_xへの正電荷蓄積による短時間でのJ_sc、V_ocの低下が見られなかった。正バイアス下では蓄積電荷の極性は負であるため、パッシベーション性能をむしろ改善し、実験結果と矛盾しない。また、長時間PID試験での性能低下も見られず、負イオン侵入によるPIDが無いことが示唆される。