[21a-B12-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

[21a-B12-6] n型リアエミッター型c-Si PVモジュールのPIDにおける光照射の影響

〇(M2)徐 原松¹、山口 世力¹、中村 京太郎²、増田 淳³、大平 圭介¹ (1.北陸先端大、2.豊田工大、3.産総研)

キーワード：電圧誘起劣化、ｎ型リアエミッター型、c-Si PVモジュール

n型リアエミッター型結晶Si太陽電池モジュールにおけるPIDの光照射による遅延効果を調査した．セル中のSiO₂が光照射によるPIDの遅延効果を弱める可能性を勘案し，SiO₂の無いセルを用いた．V_ocのPID試験時間依存性において，光照射無しのモジュールの方が全体的に下回っているが，差異が小さいため，光照射の影響は明確ではない．V_ocの低下が小さい理由として，p⁺エミッタ側にSiO₂が無いため，初期性能が低く，n⁺層側の劣化による変化が見えづらい可能性が考えらえる．