[21a-B12-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

[21a-B12-8] 反射防止膜の構造が太陽電池モジュール内部の電界分布に及ぼす影響

〇橘 泰至¹、豊田 丈紫¹、城内 紗千子²、原 由希子²、柴田 肇²、増田 淳² (1.石川工試、2.産総研)

キーワード：電圧誘起劣化、電界、反射防止膜

セル表面の反射防止膜の構造が電圧誘起劣化に及ぼす影響を検証するため、セル内部の電界分布を解析した。SiN_x層下部にSiO₂層を形成した場合には、SiO₂層がSiN_x層よりも強電界になる結果を得た。SiO₂層の強電界は、PIDを誘発するNaなどをセル内部に侵入させる方向に働くと推測する。一方で、SiN_x層下部にSiO₂層を形成した場合において、PIDが遅延する実験結果とは説明が矛盾する。このことは、SiO₂層形成によるPID遅延効果を電界だけでは説明できず、Na侵入に対するバリア効果等を検証すべきことを示唆する。