The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Oral presentation

Joint Session K » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[21a-B31-1~8] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Sat. Sep 21, 2019 9:00 AM - 11:15 AM B31 (B31)

Tomoki Abe(Tottori Univ.)

9:45 AM - 10:00 AM

[21a-B31-4] Preparation of Sn based conductive film and its characteristics by Mist CVD

〇(M2)Mariko Ueda1, Li Liu1, Giang T. Dang1, Tomoko Kozaki2, Hiroshi Yanagimoto2, Toshiyuki Kawaharamura1 (1.School of Intelligent. Mech. Sys. Eng. Kochi Univ. of Tech., 2.Toyota Motor Corporation)

Keywords:TCO, ATO, Mist CVD

燃料電池では,金属セパレータが運転環境下において腐食され,その電気抵抗の増加や溶出した金属イオンによる電極劣化が引き起こされ,燃料電池の性能が悪化していることが報告されている.そこで金属セパレータの耐薬品性を高めるため、導電性を有しており耐食性のある材料としてSn系の酸化物導電膜が注目されている.本研究室でも,大面積に亘り均一で原子レベルで高品質な成膜が可能な機能膜作製手法「ミストCVD」を用いて,豊富な資源を有し,熱的安定性,化学的耐久性を兼ね備えるSn系酸化物のアンチモンドープ酸化スズの作製を行っている.本研究では、支援剤を加えることで低抵抗化に挑戦したので報告する.