2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21a-B31-1~8] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2019年9月21日(土) 09:00 〜 11:15 B31 (B31)

阿部 友紀(鳥取大)

09:45 〜 10:00

[21a-B31-4] ミストCVDによる燃料電池用Sn系導電膜の作製とその特性

〇(M2)上田 真理子1、刘 丽1、DANG Tai Giang1、小崎 智子2、柳本 博2、川原村 敏幸1 (1.高知工大院知能機械シス工、2.トヨタ自動車株式会社)

キーワード:透明導電膜、アンチモンドープ酸化スズ、ミストCVD

燃料電池では,金属セパレータが運転環境下において腐食され,その電気抵抗の増加や溶出した金属イオンによる電極劣化が引き起こされ,燃料電池の性能が悪化していることが報告されている.そこで金属セパレータの耐薬品性を高めるため、導電性を有しており耐食性のある材料としてSn系の酸化物導電膜が注目されている.本研究室でも,大面積に亘り均一で原子レベルで高品質な成膜が可能な機能膜作製手法「ミストCVD」を用いて,豊富な資源を有し,熱的安定性,化学的耐久性を兼ね備えるSn系酸化物のアンチモンドープ酸化スズの作製を行っている.本研究では、支援剤を加えることで低抵抗化に挑戦したので報告する.