2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.4 有機EL・トランジスタ

[21a-B32-1~9] 12.4 有機EL・トランジスタ

2019年9月21日(土) 09:00 〜 11:30 B32 (B32)

福田 憲二郎(理研)、栗原 一徳(産総研)

10:30 〜 10:45

[21a-B32-6] 全塗布型有機トランジスタにおけるスイッチング特性の急峻化

〇(D)北原 暁1、井川 光弘1、松岡 悟志1、荒井 俊人1、長谷川 達生1 (1.東大院工)

キーワード:有機薄膜トランジスタ、印刷電極、撥水性ポリマーゲート絶縁膜

全塗布型デバイスにおいて、スイッチング特性を決定づける因子の詳細な検討を行った。結果、適切な半導体材料の選定・電極の仕事関数操作かつ低温アニールにより急峻なスイッチングが得られることが分かった。さらに高キャパシタンスの撥水性絶縁膜と組み合わせたところ、最小で89mV/decというポリマー半導体としては最高クラスのスイッチング特性を得た。講演では、これらスイッチング特性とトラップの相関について考察を加える。