2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.4 有機EL・トランジスタ

[21a-B32-1~9] 12.4 有機EL・トランジスタ

2019年9月21日(土) 09:00 〜 11:30 B32 (B32)

福田 憲二郎(理研)、栗原 一徳(産総研)

11:15 〜 11:30

[21a-B32-9] ウェットプロセスで作製したOFETにおける銀ナノインク電極表面酸化処理の効果

〇(B)曽根 森之介1、小林 幹太1、皆川 正寛1,2、新保 一成2 (1.長岡工業高等専門学校、2.新潟大学)

キーワード:有機電界効果トランジスタ、銀ナノインク、酸化処理

これまでに我々は,OFET電極を酸化処理することでコンタクト抵抗が低減され,5.8 eVと高いIPを持つ9,10-diphenylanthracene(DPA)を活性層に持つOFETを駆動できることを明らかにした。
しかし,有機層をウェットプロセスで成膜したOFETにおける酸化処理の有効性は明らかになっていない。
そこで,本研究ではAg nano-inkとDPA溶液を用いてウェットプロセスでOFETを作製し,電極表面の酸化処理が電気特性にどのように影響を及ぼすのかを明らかにすることを目的とした。