[21a-C309-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

△ [21a-C309-13] 分子線エピタキシー法による強誘電体SbSI薄膜の作製

〇稲垣 宗太朗¹、中村 優男^2,3、畑田 大輝¹、西野 隆太郎¹、賀川 史敬^1,2、十倉 好紀^1,2、川﨑 雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS、3.JSTさきがけ)

キーワード：強誘電体、薄膜、光起電力効果

強誘電体などの空間反転対称性の破れた物質はバルク光起電力効果を示し、近年この効果がベリー位相に駆動されるシフト電流に起因することが明らかになった。我々はこのシフト電流のデバイス応用に向け、シフト電流がバルク単結晶で観測されたSbSIの薄膜化を行った。バルブドセルを用いた分子線エピタキシー法によりSbSIの分極軸を基板面に垂直に配向した薄膜を作製することに成功し、バルク同様の光学スペクトルや強誘電性を確認した。