[21a-C309-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

△ [21a-C309-5] Si基板上のエピタキシャル(K,Na)NbO₃薄膜の結晶構造および圧電特性の評価

〇譚 ゴオン¹、藤田 卓也¹、Kweon Sang Hyo¹、小金澤 智之²、神野 伊策¹ (1.神大工、2.高輝度光科学研究センター)

キーワード：非鉛圧電薄膜、XRDその場観察

非鉛 (K,Na)NbO₃ (KNN)薄膜は、現在主流であるPb(Zr,Ti)O₃ (PZT)薄膜に匹敵する高い圧電特性を有しており、PZTの代替材料として注目を集めている。KNN薄膜の圧電特性向上には、結晶構造と圧電特性の関係を明らかにする必要がある。本研究は、Si基板上にエピタキシャルKNN薄膜を作製して結晶構造解析および圧電特性の評価を行った。また、放射光施設（SPring-8）のシンクロトロン放射光を用いて、DC電圧印加下でX線回折測定を行い、多結晶KNN薄膜の結果と比較した。