[21a-E216-5~11] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

△ [21a-E216-6] 全ホイスラー型半金属GMR素子の第一原理的研究

〇(DC)黒田 文彬^1,4、福島 鉄也^2,3、小口 多美夫^1,2,3,4 (1.大阪大学　産研、2.大阪大学　CSRN、3.阪大 ナノ、4.物材研 MaDIS)

キーワード：第一原理計算、GMR素子

近年、高密度ハードディスクドライブやGbitクラスの磁気ランダムアクセスメモリの実現のため、高い磁気抵抗比と小さい面抵抗値を持つ巨大磁気抵抗(GMR)接合が求められている。従来の面直電流型(CPP-GMR)接合は、小さい面抵抗値をもつものの、高い磁気抵抗比は得られなかった。そこで、我々は半金属を用いた新規GMR接合について注目した。特に本研究では、第一原理計算に基づき、半金属Fe₂VAlを用いた全ホイスラー型GMR接合の界面での磁気結合とスピン依存伝導について議論した。