[21a-E301-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-E301-12] TEGを用いたAlGaN/GaNヘテロ成長の2DEG側界面電荷への影響

〇沖田 寛昌¹、星井 拓也¹、松橋 泰平¹、Sanyal Indraneel²、Chen Yu-Chih²、Ju Ying-Hao²、中島 昭³、西澤 伸一⁴、大橋 弘通¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、Chyi Jen-Inn²、筒井 一生¹ (1.東工大、2.國立中央大、3.産総研、4.九州大)

キーワード：2DEG、AlGaN/GaN