[21a-E301-1~13] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[21a-E301-2] Evaluation of Reactive Ion Etching-induced Damage on 2DEG at AlGaN/GaN Interface

〇Mikito Nozaki¹, Daiki Terashima¹, Akitaka Yoshigoe², Takuji Hosoi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.JAEA)

Keywords:AlGaN/GaN, ICP-RIE, Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy

AlGaN/GaN HFETのノーマリーオフ化にはゲート下のAlGaN層を薄層化したリセス構造の形成等が必要となる。AlGaN層はICP-RIEにより比較的容易に薄層化できるが、エッチング時の損傷による特性劣化が懸念される。本研究ではICP-RIE後のAlGaN層に対し放射光光電子分光（SR-XPS）分析やホール効果測定を行い、HFET向け低損傷リセスエッチング技術について検討した。