[21a-E301-1~13] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [21a-E301-3] Contactless Photoelectrochemical Etching of n-GaN in K₂S₂O₈/H₃PO₄ Mixed Solution

〇(D)Masachika Toguchi¹, Kazuki Miwa¹, Fumimasa Horikiri², Noboru Fukuhara², Yoshinobu Narita², Takehiro Yoshida², Taketomo Sato¹ (1.RCIQE Hokkaido Univ., 2.SCIOCS Co. Ltd.)

Keywords:semiconductor, contactless photoelectrochemical etching, GaN

光電気化学（PEC）エッチングは、電解液中における半導体表面の光電気化学酸化と酸化被膜の溶解を制御してエッチングを進行させる手法である。これまでに我々は、PECエッチングがGaN系材料の低損傷加工プロセスとして有望であることを示してきた。さらにペルオキソ二硫酸カリウムと水酸化カリウム混合溶液を用いることにより、より簡便なコンタクトレス（電極配線無し）エッチングにも成功した。今回は、水酸化カリウムに代わってリン酸の混合溶液を用いることにより、ポジ型フォトレジストを直接エッチングマスクとして利用することに成功したので報告する。