[21a-E301-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-E301-6] 組成傾斜AlGaNコンタクト層を有するn型AlN-MESFET

〇廣木 正伸¹、熊倉 一英¹ (1.NTT物性研)

キーワード：AlN、MESFET

前回、組成傾斜AlGaNコンタクト層を形成することによって、n型AlNへの良好なオーミックコンタクトを実現した。今回、この構造を用いてn型AlN MESFETを作製した。組成傾斜AlGaNコンタクト層の効果により、良好なオーミック特性が得られた。最大ドレイン電流は420 uA/mmであった。耐圧はゲート-ドレイン間隔(L_gd)が1mmにおいて280 Vであり、L_gdの増加に従い増加し、L_gd= 11 mmにおいて1680 Vが得られた。