[21a-E301-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-E301-8] GaN Fin構造選択成長における低抵抗領域の発生原因の検討

〇高山 研¹、向井 勇人¹、濱田 拓也¹、高橋 言緒²、井手 利英²、清水 三総²、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、岩井 洋¹、筒井 一生¹ (1.東工大、2.産総研)

キーワード：FinFET、選択成長法、TLM測定