[21a-E302-1~13] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

△ [21a-E302-11] Ultraviolet penetration depth determination of Ca_0.6Sr_0.4TiO₃:Pr³⁺ film by thickness dependence of photoluminescence intensity

〇(P)Norihiro Oshime¹, Hiroshi Takashima¹ (1.AIST)

Keywords:oxide phosphor, semiconductor, penetration depth

蛍光体のフォトルミネッセンス (PL) 強度を制限する要素の一つとして，励起光の侵入長が挙げられる。侵入長を超えた領域からPLは得られず，希土類を用いる蛍光体の省資源化，薄膜PLデバイス薄型化の観点から侵入長の決定は非常に重要である。本研究では，PL強度の膜厚依存性から酸化物蛍光体薄膜の励起光 (紫外領域) の侵入長を決定する手法を開発したのでそれを示す。