11:30 AM - 11:45 AM
△ [21a-E302-11] Ultraviolet penetration depth determination of Ca0.6Sr0.4TiO3:Pr3+ film by thickness dependence of photoluminescence intensity
Keywords:oxide phosphor, semiconductor, penetration depth
蛍光体のフォトルミネッセンス (PL) 強度を制限する要素の一つとして,励起光の侵入長が挙げられる。侵入長を超えた領域からPLは得られず,希土類を用いる蛍光体の省資源化,薄膜PLデバイス薄型化の観点から侵入長の決定は非常に重要である。本研究では,PL強度の膜厚依存性から酸化物蛍光体薄膜の励起光 (紫外領域) の侵入長を決定する手法を開発したのでそれを示す。