[21a-E310-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [21a-E310-1] Suppression of the Step Bunching in GaN Crystals grown by Sodium-Flux Method using Purified Sodium

〇(B)Hyoga Yamauchi¹, Takumi Yamada², Masayuki Imanishi², Mikito Ueda³, Yusuke Mori² (1.Sch. of Eng. Osaka Univ., 2.Grad. Sch. of Eng. Osaka Univ., 3.Grad. Sch. of Eng. Hokkaido Univ.)

Keywords:Sodium-flux Method, Step Bunching, Purified Sodium

Naフラックス法による高品質GaN基板上にデバイスを作製する際、基板中へのインクルージョンの取り込みが問題となる。インクルージョンの取り込みにはステップバンチングが大きく寄与し、その発生は環境中の不純物に起因する。そこで今回、育成環境中の不純物を減らすために使用するNaの精製に取り組み、精製Naの使用によってステップバンチングの抑制が確認された。これにより、インクルージョン取り込みの低減が期待される。