[21a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21a-E310-10] レーザ剥離技術を用いて剥離したGaN基板の評価

〇田中 敦之^1,2、伊ヶ崎 泰則¹、天野 浩^1,2,3,4 (1.名大未来材料・システム研究所、2.物材機構、3.名大赤崎記念研究センター、4.名大 VBL)

キーワード：窒化ガリウム、レーザ加工

GaN on GaNデバイスの実用化は思ったようには進んでいない。その理由の一つとしてGaN基板の価格が非常に高いことがあげられる。今回基板の低価格化に貢献できる可能性のある手法として、レーザスライスを用いたGaN基板切り出し手法を提案する。本発表ではレーザスライスによって剥離されたGaN基板の評価について報告する。