[21a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21a-E310-4] Naフラックス法GaN基板中で消滅する転位のバーガース・ベクトル同定

〇(M2)藤田 優¹、津坂 佳幸¹、松井 純爾²、今西 正幸³、森 勇介³ (1.兵県大院物質理学、2.放射光研究センター、3.阪大院工)

キーワード：半導体、窒化ガリウム、転位

Naフラックス法で作製したGaN基板中転位を明視野X線トポグラフィにて観察した。用いた試料は二光子PL測定により、成長とともに転位が消滅することが分かっている。本研究の目的は、この消滅する転位のバーガース・ベクトル(b)を決定することである。