[21a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21a-E310-6] 酸性アモノサーマル法によるGaNバルク結晶成長

〇栗本 浩平^1,2、包 全喜^1,2、斉藤 真^1,3、茅野 林造²、冨田 大輔¹、嶋 紘平¹、小島 一信¹、石黒 徹¹、秩父 重英¹ (1.東北大多元研、2.日本製鋼所、3.三菱ケミカル)

キーワード：GaN、アモノサーマル法、バルク結晶

大口径バルクGaN結晶の量産化手法の一つとして酸性アモノサーマル法が期待されている。これまでに2 インチ径ウエハの製造が可能な内径60 mmのGaN結晶成長用圧力容器での結晶育成を報告してきた。本講演ではこれまでよりさらに大型の4インチ大の結晶成長が可能な内径120 mmの圧力容器を用いた育成結果について報告する。