2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[21a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年9月21日(土) 09:00 〜 11:45 E310 (E310)

村上 尚(農工大)、新田 州吾(名大)

11:00 〜 11:15

[21a-E310-8] M面成長SCAATTM基板のアニール効果

磯 憲司1、三川 豊1、池田 宏隆1、堀田 一海1、望月 多恵1、泉沢 悟1 (1.三菱ケミカル)

キーワード:SCAAT、アモノサーマル、アニール

アモノサーマル法から得られたGaN基板の特徴の1つに強いYL発光が挙げられる。アモノサーマル法では、得られたGaNバルク結晶やそこから加工されたGaN基板は内在した歪みを緩和する目的でアニール処理が行われる。M面成長したバルク結晶から切り出したGaN基板をアニールすることにより、GaN結晶の黄着色が消失し、さらにPLやFT-IRスぺクトル等の特性が劇的に変化した。