[21a-E311-1~7] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21a-E311-4] SiCエピタキシャル成長装置排ガス管内副生成物から生じるガス種

水島 一郎¹、〇羽深 等² (1.ニューフレアテクノロジー、2.横国大院工)

キーワード：炭化珪素、エピタキシャル成長、副生成物

半導体炭化珪素(SiC)エピタキシャルウエハは、様々な用途のパワーデバイスに活用されている。SiCエピタキシャル成長時にリアクタの下流側に生じる副生成物は可燃性であるため、爆発・燃焼の危険を避けるための基礎知見として、本研究では排ガス管内に堆積した副生成物から発生するガス種を分析し、その挙動から副生成物の堆積挙動と状態を推定した。