[21a-E311-1~7] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21a-E311-6] 三フッ化塩素ガスを用いた直径200 mm炭化ケイ素ウェハエッチング装置の設計

〇川崎 稜平¹、羽深 等¹、高橋 至直²、加藤 智久³ (1.横国大院工、2.関東電化工業、3.産総研)

キーワード：三フッ化塩素、エッチング、炭化珪素

半導体炭化ケイ素(SiC)を利用したデバイスの生産性向上のため、化学反応を利用してSiCウェハを高速で均一にエッチングする技術の開発が期待されている。本研究では三フッ化塩素(ClF₃)ガスを用いた直径200 mmのSiCウェハエッチング装置を設計し、数値計算により評価したのでその結果を報告する。