[21a-PA2-1~31] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21a-PA2-16] Pt/Ti_0.99Sc_0.01O_2-d/Ptクロスポイント構造膜の脳型的な抵抗変化特性

藤田 健史¹、川村 欣也¹、山田 庸公¹、湯川 龍²、堀場 弘司²、組頭 広志²、〇樋口 透¹ (1.東理大理、2.高エネ研)

キーワード：新規酸化物半導体、脳型メモリー

本研究では、Pt/Ti_0.99Sc_0.01O_2-d/Ptクロスポイント構造膜をスパッタ法により作製し、構造・電気特性を評価した。パルス電圧を印加することにより、脳型的な抵抗変化特性を示した。当日は、その詳細な機構について報告する。