[21a-PA2-1~31] 6.3 Oxide electronics

[21a-PA2-6] Composition control of YbFe₂O₄ epitaxial thin films and the effects on the electric, magnetic and optical properties

〇(M2)Jyunpei Tanaka¹, Kouhei Miura¹, Daisuke Kiriya¹, Takeshi Yoshimura¹, Atushi Ashida¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Prefecture Univ.)

Keywords:Strongly correlated electron system, RFe2O4, Pulsed laser deposition

RFe₂O₄(R:希土類元素)は、結晶内に同数のFe²⁺とFe³⁺が三角格子状に存在しているため電荷のフラストレーションが生じ、電子密度に極性を有する電子強誘電体である 。加えて、~250K以下でフェリ磁性と強誘電性が共存することや、赤外域における高い光吸収係数を有し、基礎・応用両面から注目されている。しかし、YbFe₂O₄はFeイオンの欠損を許容しやすいことから、単層の単結晶試料であるにもかかわらず20%程度もFe欠損した結晶が形成すると報告されている。本発表では、化学量論組成近傍のエピタキシャル薄膜作製法について議論する。